Glossar: 90nm Strained Silicon Prozess (Fortsetzung)

Abschließend zum Thema Prozessfertigung wollen wir noch einige Worte verlieren, wie es denn möglich ist, immer kleinere Strukturen herzustellen. Das Schlagwort dazu heißt Lithographie. Der prinzipielle Ablauf eines Lithographieschrittes ist im Folgenden dargestellt:

Quelle: Vorlesung Silizium Halbleitertechnologie, Prof. Hansch am Lehrstuhl für Technische Elektronik der TU München

Um die Strukturen immer kleiner zu machen, gibt es nun einige Vorgehensweisen. Die einfachste ist, die Wellenlänge des verwendeten Lichts zu verkürzen. Intel stellte dazu von der 248nm-Linie des Krypton-Fluorid Lasers um und nutzt nun die 193nm-Linie des Argon-Fluorid Lasers. Dadurch wird die Abbildung schärfer und man kann mit Masken mit kleineren Linienbreiten arbeiten. Darüber hinaus lässt sich mit so genannten Phasenschiebermasken die Linienbreite weiter verfeinern.

Quelle: Vorlesung Silizium Halbleitertechnologie, Prof. Hansch am Lehrstuhl für Technische Elektronik der TU München

Bei Phasenschiebermasken werden lichtdurchlässige Schichten mit genau berechneter Dicke neben die Maskenstruktur positioniert. Dadurch wird ein Laufzeitunterschied, bzw. eine Phasenverschiebung von 180° eingestellt. Durch die Überlagerung aus der Beugung können am Wafer Nullintensitäten erreicht werden, was zu einem höheren Kontrast, d.h. kleineren Auflösungen führt.