Schon im siebten Jahr in Folge konnte Samsung die Speicherdichte bei NAND-Flash-Speicher verdoppeln und stellt somit den ersten 64 GBit großen NAND-Flash-Speicher-Chip vor. Dieser wird in der 30nm-Fertigung hergestellt und stellt die nächste Stufe der stetig schrumpfenden Halbleitergeometrie des Herstellers in diesem Bereich dar. Angefangen mit 100nm und 1 GBit Kapazität schafft es Samsung seit sieben Jahren die Speicherkapazität bei gleichzeitigem verkleinern des Fertigungsprozesses zu steigern. Maximal 16 dieser Flash-Speicherchips lassen sich zu einer großen Speicherkarte kombinieren, die dann 128 GByte Speicherplatz bietet.

Bei der Herstellung des 64 GBit großen MLC (Multi-Level-Cell) Speicherchips verwendet Samsung erstmals einen neuen Fertigungsprozess, der unter der Bezeichnung "SaDPT" (Self-Aligned Double Patterning Technology) vorgestellt wird. Dieser soll gegenüber der im letzten Jahr entwickelten "Charge-Trap-Flash-Technologie" (CTF) entscheidende Fortschritte bei der Fertigung mit Strukturen unter 30nm mit sich bringen. Beim SaDPT-Prozess wird der NAND-Flashspeicher in zwei Schritten erzeugt. Zunächst werden gröbere Strukturen auf dem Die erzeugt und in einem zweiten Schritt freigehaltene Lücken mit feineren Funktionselementen gefüllt. Vorteil des neuen Prozesses ist der Umstand, dass das herkömmliche Fotolitographie-Equipment weiter verwendet werden kann. So kann Samsung den Prozess beschleunigen und die Wirtschaftlichkeit verbessern ohne neue Investitionen tätigen zu müssen.

Zusammen mit dem 64 GBit NAND-Flashspeicher reichte der Hersteller 30 Patentanträge ein, die jedoch noch abgesegnet werden müssen. Neben dem MLC-Speicher wurde auch ein 32 GBit großer SLC (Single-Level-Cell) NAND-Speicher entwickelt, der auf der gleichen Technologie basiert. Man geht davon aus, dass die Produktion mit dem 30nm-Fertigungsprozess im Jahr 2009 starten kann.
[bb]