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 Intel eröffnet erste Fab für 45 nm Technologie

Fertigung | 25.10.2007, 22:37
Kurz vor dem bevorstehenden Launch der ersten Produkte, die auf dem nächsten Die-Shrink basieren, eröffnete Intel heute die zugehörige Fab für die Massenfertigung. Die im 45 nm-Prozess arbeitende Fab 32 befindet sich in Chandler im US-Bundesstaat Arizona und kostete nach Intel-Angaben 3 Mrd. US-$. Sie ergänzt die bisher einzige Produktionsstätte in Oregon.

Intels sechste Fab, die mit 300 mm-Wafer arbeitet wird mit 184.000 m² Reinraumfläche und 1000 Beschäftigten in Produktion und Automation sowie Engineering und Fertigungstechnik quantifiziert. In diesem Reinraum werden zum Start die in wenigen Tagen erwarteten Penryn-Desktop Prozessoren sowie die 45 nm-Server- und Noebookäquivalente gefertigt, bis weitere neue Fabs in Kiryat Gat (Israel) und Rio Rancho (New Mexico, USA) im kommenden Jahr die Produktion aufnehmen.

Mit dieser Produktiosstätte legt der Hersteller großen Wert darauf die Umweltfreundlichkeit zu betonen, da Halbleiterfabriken im Allgemeinen als Energie- und Wasserverschwender gelten. Intel nutzt nach eigenen Angaben ein Programm des Staates Arizona zur Konservierung und Wiederverwendung von Wasser, bei dem rund 70 Prozent Wasser gespart werden soll. Darüber hinaus plant Intel die Fab 32 als erste Fabrik des Unternehmens offiziell nach den Kriterien des Leadership in Energy and Environmental Design (LEED) zertifizieren zu lassen, die für Anlagen dieser Art neu entwickelt wurden. LEED ist ein Rating-System für grüne Gebäude, das vom U.S. Green Building Council ins Leben gerufen wurde und Standards setzt für eine umweltgerechte Bauweise. Die Zertifizierung kann allerdings erst nach mehrmonatigem Serienbetrieb stattfinden. Intel machte bislang keine Angaben zu den geplanten Wafer-Starts pro Woche, einer wichtigen Kenngröße für die Kapazität einer Fab.
[tm]

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